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Intel 144層QLC閃存被曝完成開發 PLC閃存規劃中
2020-07-10 15:59:56  出處:快科技 作者:憲瑞 編輯:憲瑞   點擊可以復制本篇文章的標題和鏈接

最近幾個月NAND閃存的價格又開始轉跌了,廠商目前的主力是963D閃存,很快就要轉向新一代100+層堆棧了。在96層之后,Intel144QLC閃存現在已經完成開發,預計下半年量產,同時還在規劃新的PLC閃存。

144閃存是Intel第四代3D閃存,此前三代分別是32層、64層、96層,這也是Intel與美光分手之后獨立開發的新一代閃存,去年就已經曝光,將繼續使用傳統的FG浮柵極技術,該技術制造難度略高,但Intel簡稱其可靠性更好,比其他廠商的使用的CTP電荷肼技術更好一些。

Intel 144層QLC閃存被曝完成開發 PLC閃存規劃中

根據最新消息,Intel144QLC閃存已經完成開發,預計今年下半年正式量產,核心容量依然是1024Gbit,從這一點上看跟96QLC閃存的1024Gbit核心容量相比沒變化,不確定內部改進如何。

144QLC閃存預計很快就會用于消費級及企業級SSD硬盤中,2018年也是Intel/美光率先量產了第一代QLC閃存,用于660P、P1SSD硬盤中。

按照之前的規劃,今年底開始量產144QLC閃存,預計2021年的SSD產品線就會全面轉向144QLC閃存了,這將會進一步降低閃存的成本,提高容量。

除了QLC閃存之外,Intel還在開發PLC閃存,也就是5bit/cell,它理論上的容量比QLC閃存提升25%,進一步提高容量并降低存儲成本,但是PLC閃存更復雜,可靠性及性能都會下降,一直爭議不斷,目前還沒有一家NAND廠商宣布量產PLC的。

Intel 144層QLC閃存被曝完成開發 PLC閃存規劃中

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